BDP949H6327XTSA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BDP949H6327XTSA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTORS

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	949 BDP H6327 SP000748382
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	50 at 2 A, 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	-
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	100 MHz
Производитель	Infineon
Технология	Si
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223-4

Метки: