SI7997DP-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI7997DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 60 A
Pd - рассеивание мощности	46 W
Qg - заряд затвора	106 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 2.2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	SI7997DP-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	71 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	2 P-Channel
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8

Метки: