+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
IRF7420PBF Лист данных (PDF) | скачать |
МОП-транзистор | |
Высота | 1.75 mm |
Длина | 4.9 mm |
Подкатегория | MOSFETs |
Тип | HEXFET Power MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Ширина | 3.9 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 11.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
Qg - заряд затвора | 38 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | - 8 V, + 8 V |
Вес изделия | 540 mg |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 8.8 ns |
Время спада | 225 ns |
Другие названия товара № | SP001575602 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Полярность транзистора | P-Channel |
Производитель | Infineon |
Размер фабричной упаковки | 95 |
Технология | Si |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 291 ns |
Типичное время задержки при включении | 8.8 ns |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | SO-8 |
CAHTS | 8541290000 |
CNHTS | 8541290000 |
ECCN | EAR99 |
JPHTS | 8541290100 |
MXHTS | 85412999 |
TARIC | 8541290000 |
USHTS | 8541290095 |