+7(8482)93-11-33
+79277730386
SIR862DP-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIR862DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребления
Номер части: SIR862DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Срок эксплуатации:
Вышло из употребленияЦена: по запросу
МОП-транзистор 25V 50A 69W
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 32 A |
| Pd - рассеивание мощности | 5.2 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SO-8 |
Страница создана за 0.169 секунд.