SI8429DB-T1-E1

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI8429DB-T1-E1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 7.8 A
Pd - рассеивание мощности	2.77 W
Qg - заряд затвора	21 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	43 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 8 V
Vgs - напряжение затвор-исток	5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	25 ns
Время спада	155 ns
Другие названия товара №	SI8429DB-E1
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET/MICRO FOOT
Конфигурация	Single Dual Drain
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	0.7 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	260 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	MicroFoot-4

Метки: