SIHG33N60EF-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIHG33N60EF-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 600V 98mOhms@10V 33A N-Ch МОП-транзистор

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	33 A
Pd - рассеивание мощности	278 W
Qg - заряд затвора	155 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	98 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	43 ns
Время спада	48 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	EF Series
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Серия	SiHG33N60EF
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	161 ns
Типичное время задержки при включении	28 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247AC-3

Метки: