SIZ342DT-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIZ342DT-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Вышло из употребления

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор Dual N-Channel 30V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	30 A, 30 A
Pd - рассеивание мощности	16.7 W
Qg - заряд затвора	10 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	11.5 mOhms, 11.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V, 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	- 16 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	50 ns, 15 ns
Время спада	10 ns, 7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	37 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Технология	-
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	16 ns, 17 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns, 8 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	WDFN-8

Метки: