Si5855CDC-T1-E3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: Si5855CDC-T1-E3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	2.5 A
Pd - рассеивание мощности	1.9 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	34 ns
Время спада	34 ns
Другие названия товара №	SI5855CDC-E3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single with Schottky Diode
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	22 ns
Типичное время задержки при включении	11 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	ChipFET-8

Метки: