IGT60R190D1SATMA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IGT60R190D1SATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IGT60R190D1SATMA1 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 600V CoolGaN Power Transistor

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	12.5 A
Pd - рассеивание мощности	55.5 W
Qg - заряд затвора	3.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	190 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	- 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	0.9 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5 ns
Время спада	12 ns
Другие названия товара №	SP001701702
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	CoolGaN
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	2000
Технология	GaN
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	12 ns
Типичное время задержки при включении	11 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PG-HSOF-8

Метки: