IPN80R2K4P7ATMA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: IPN80R2K4P7ATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
IPN80R2K4P7ATMA1 Лист данных	скачать

МОП-транзистор LOW POWER_NEW

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	2.5 A
Pd - рассеивание мощности	6.3 W
Qg - заряд затвора	7.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	30 ns
Другие названия товара №	IPN80R2K4P7 SP001664994
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	40 ns
Типичное время задержки при включении	8 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223-3
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999

Метки: