2SCR502EBHZGTL

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: 2SCR502EBHZGTL
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
2SCR502EBHZGTL Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V 0.5A 0.15W SOT-416FL

Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Непрерывный коллекторный ток	0.5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	360 MHz
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	2SCR502EBHZG
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	500
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-416FL-3

Метки: