SCT2H12NYTB

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: SCT2H12NYTB
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
SCT2H12NYTB Лист данных	скачать

МОП-транзистор N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	4 A
Pd - рассеивание мощности	44 W
Qg - заряд затвора	14 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.15 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1700 V
Vgs - напряжение затвор-исток	22 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.6 V
Вес изделия	4 g
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	21 ns
Время спада	74 ns
Другие названия товара №	SCT2H12NY
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	400 mS
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	800
Технология	SiC
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	35 ns
Типичное время задержки при включении	16 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-268-3
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999
TARIC	8541290000

Метки: