SCT3080ALGC11

SCT3080ALGC11

SCT3080ALGC11
Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: SCT3080ALGC11
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
SCT3080ALGC11 Лист данных скачать
МОП-транзистор N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки 30 A
Pd - рассеивание мощности 134 W
Qg - заряд затвора 48 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 80 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток - 4 V, 22 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.7 V
Вес изделия 6 g
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 26 ns
Время спада 16 ns
Другие названия товара № SCT3080AL
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 3.8 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки 450
Технология SiC
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 27 ns
Типичное время задержки при включении 16 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247N-3
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
TARIC 8541290000
Метки:
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам
Страница создана за 0.395 секунд.