SIHB22N60AEL-GE3

Производитель: Vishay / Siliconix
Номер части: SIHB22N60AEL-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
SIHB22N60AEL-GE3 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

МОП-транзистор
Код HTS	8541290095
Id - непрерывный ток утечки	21 A
Pd - рассеивание мощности	208 W
Qg - заряд затвора	41 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	24 ns
Время спада	28 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	15 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	1
Серия	EL
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	86 ns
Типичное время задержки при включении	27 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	TO-263-3
CNHTS	8541290000
MXHTS	85412999

Метки: