BSS5130T116

Производитель: Rohm Semiconductor
Номер части: BSS5130T116
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
BSS5130T116 Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT PNP -30VCEO -1A SOT-23

Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	270
Непрерывный коллекторный ток	- 1 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	320 MHz
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	680
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	- 1 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	- 180 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	- 6 V
Полярность транзистора	PNP
Производитель	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BM14270MUV-LB
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: