+7(8482)93-11-33
+79277730386
Описание | действие |
BSS63T116 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Непрерывный коллекторный ток | - 100 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | - 100 mA |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 110 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 110 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 100 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 6 V |
Полярность транзистора | PNP |
Производитель | ROHM Semiconductor |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BM14270MUV-LB |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |