+7(8482)93-11-33
+79277730386
IXFN110N85X
Производитель: IXYS
Номер части: IXFN110N85X
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: IXFN110N85X
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| IXFN110N85X Лист данных | скачать |
МОП-транзистор 850V X-Class HiPerFE Power МОП-транзистор
| МОП-транзистор | |
| TARIC (Единый тариф ЕЭС) | 8541290000 |
| Код HTS | 8541290095 |
| Id - непрерывный ток утечки | 110 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.17 kW |
| Qg - заряд затвора | 425 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 33 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 850 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Вес изделия | 30 g |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Время нарастания | 25 ns |
| Время спада | 11 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 43 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | IXYS |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Серия | HiPerFET |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 144 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| CNHTS | 8541290000 |
| MXHTS | 85412999 |
| TARIC (Единый тариф ЕЭС) | 8541290000 |
Страница создана за 0.34 секунд.