DMN2075U-7
Описание |
действие |
DMN2075U-7 Лист данных (PDF) |
скачать |
МОП-транзистор N-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
МОП-транзистор |
Подкатегория |
MOSFETs |
Продукт |
MOSFET Small Signal |
Тип продукта |
MOSFET |
Id - непрерывный ток утечки |
4.2 A |
Pd - рассеивание мощности |
800 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток |
25 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток |
20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток |
- 8 V, + 8 V |
Вес изделия |
8 mg |
Вид монтажа |
SMD/SMT |
Время нарастания |
9.8 ns |
Время спада |
6.7 ns |
Канальный режим |
Enhancement |
Категория продукта |
МОП-транзистор |
Количество каналов |
1 Channel |
Конфигурация |
Single |
Максимальная рабочая температура |
+ 150 C |
Минимальная рабочая температура |
- 55 C |
Полярность транзистора |
N-Channel |
Производитель |
Diodes Incorporated |
Размер фабричной упаковки |
3000 |
Серия |
DMN2075 |
Технология |
Si |
Тип транзистора |
1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения |
28.1 ns |
Типичное время задержки при включении |
7.4 ns |
Торговая марка |
Diodes Incorporated |
Упаковка |
Cut Tape, MouseReel, Reel |
Упаковка / блок |
SOT-23-3 |
CAHTS |
8541210000 |
CNHTS |
8541210000 |
ECCN |
EAR99 |
JPHTS |
8541210101 |
KRHTS |
8541219000 |
MXHTS |
85412101 |
TARIC |
8541210000 |
USHTS |
8541210095 |