MMBT5551LT1G
Описание |
действие |
MMBT5551LT1G Лист данных (PDF) |
скачать |
Биполярные транзисторы - BJT 600mA 160V NPN
Биполярные транзисторы - BJT |
Высота |
0.94 mm |
Длина |
2.9 mm |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) |
80 |
Непрерывный коллекторный ток |
0.6 A |
Подкатегория |
Transistors |
Тип продукта |
BJTs - Bipolar Transistors |
Ширина |
1.3 mm |
Pd - рассеивание мощности |
225 mW |
Вес изделия |
8 mg |
Вид монтажа |
SMD/SMT |
Категория продукта |
Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация |
Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. |
250 |
Максимальная рабочая температура |
+ 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора |
0.6 A |
Минимальная рабочая температура |
- 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) |
140 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. |
160 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
0.15 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) |
6 V |
Полярность транзистора |
NPN |
Производитель |
ON Semiconductor |
Размер фабричной упаковки |
3000 |
Серия |
MMBT5551L |
Технология |
Si |
Торговая марка |
ON Semiconductor |
Упаковка |
Cut Tape, MouseReel, Reel |
Упаковка / блок |
SOT-23-3 |
CAHTS |
8541210000 |
CNHTS |
8541210000 |
ECCN |
EAR99 |
JPHTS |
8541210101 |
KRHTS |
8541219000 |
MXHTS |
85412101 |
TARIC |
8541210000 |
USHTS |
8541210095 |