STW26NM60N
Описание |
действие |
STW26NM60N Лист данных (PDF) |
скачать |
МОП-транзистор N-channel 600 V Mdmesh II Power
МОП-транзистор |
Высота |
20.15 mm |
Длина |
15.75 mm |
Подкатегория |
MOSFETs |
Тип |
Power MOSFET |
Тип продукта |
MOSFET |
Ширина |
5.15 mm |
Id - непрерывный ток утечки |
20 A |
Pd - рассеивание мощности |
140 W |
Qg - заряд затвора |
60 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток |
165 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток |
600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток |
- 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток |
2 V |
Вес изделия |
38 g |
Вид монтажа |
Through Hole |
Время нарастания |
25 ns |
Время спада |
50 ns |
Канальный режим |
Enhancement |
Категория продукта |
МОП-транзистор |
Количество каналов |
1 Channel |
Коммерческое обозначение |
MDmesh |
Конфигурация |
Single |
Максимальная рабочая температура |
+ 150 C |
Минимальная рабочая температура |
- 55 C |
Полярность транзистора |
N-Channel |
Производитель |
STMicroelectronics |
Размер фабричной упаковки |
600 |
Серия |
STW26NM60N |
Технология |
Si |
Тип транзистора |
1 N-Channel Power MOSFET |
Типичное время задержки выключения |
85 ns |
Типичное время задержки при включении |
13 ns |
Торговая марка |
STMicroelectronics |
Упаковка |
Tube |
Упаковка / блок |
TO-247-3 |
CAHTS |
8541290000 |
CNHTS |
8541210000 |
ECCN |
EAR99 |
JPHTS |
8541290100 |
KRHTS |
8541299000 |
MXHTS |
85412101 |
TARIC |
8541210000 |
USHTS |
8541290095 |